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[发明专利]用于生长硅单晶锭的方法和装置-CN202210059988.3有效
发明人：黄铉淍;金尚熹;朴勍兑 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：实施例提供了一种生长硅单晶锭的方法，该方法包括使用提拉法生长晶体取向为(111)的硅单晶锭，测量硅单晶锭的直径，计算硅单晶锭的刻面的长度，基于计算出的刻面长度计算籽晶的旋转速度的校正公式和硅单晶锭的提拉速度的校正公式，并基于计算的结果校正籽晶的旋转速度和硅单晶锭的提拉速度。
用于生长硅单晶锭方法装置

[发明专利]硅单晶提拉方法-CN200810171401.8有效
发明人：高梨启一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明提供一种硅单晶提拉方法，通过正确地控制硅单晶的直径，能够得到结晶缺陷少的高质量的硅单晶。本发明的硅单晶提拉方法在提拉工序中，使用摄像装置对上述硅单晶进行摄像，测定按各图像扫描线测定由摄像装置所摄像的图像中的上述硅熔液和上述硅单晶的固液界面附近产生的高亮度带的亮度分布。并且，分别检测硅熔液的液面位置和固液界面位置，基于液面位置和固液界面位置的差值即弯液面高度，控制提拉时的硅单晶的直径。
硅单晶提拉方法

[发明专利]一种直拉硅单晶提拉速度-晶体直径辨识模型建模方法-CN201910026707.2有效
发明人：刘丁;张晶 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明一种直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型建模方法，具体按照如下步骤进行：步骤1、多次采样，记录直拉硅单晶在不同采样时刻k下的提拉速度和晶体直径，形成不同采样时刻k下的多组数据对；步骤2、确定得到具体的关于直拉硅单晶的提拉速度和晶体直径的离散时间非线性系统模型表达式；步骤3、对DBN网络进行训练；步骤4、将训练好的DBN网络作为直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型。本发明一种直拉硅单晶提拉速度‑晶体直径辨识模型建模方法解决了现有技术采用DBN网络进行训练存在的不足。
一种直拉硅单晶提拉速度晶体直径辨识模型建模方法

[发明专利]一种硅单晶的生长方法-CN201910899811.2在审
发明人：王刚;沈伟民;黄瀚艺;陈伟德 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种硅单晶的生长方法，所述生长方法包括：确定设定拉速，所述设定拉速在理想拉速上下呈周期性变化；将晶体温度控制在1200℃以上，按照所述设定拉速进行提拉，以生长硅单晶。本发明提供的硅单晶的生长方法减少硅单晶中的原生缺陷，从而形成完美晶体，并且能够扩展硅单晶生长的工艺窗口。
硅单晶拉速生长硅单晶生长周期性变化工艺窗口原生缺陷提拉

[发明专利]硅单晶提拉用晶种以及使用该晶种的硅单晶的制造方法-CN200880105838.X有效
发明人：高濑伸光 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2008-07-17 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供硅单晶提拉用晶种，该晶种可以降低由接触硅熔液时产生的热冲击引起的滑移位错的产生，并且抑制该滑移位错的传播，即使颈部的直径大于以往的直径也能进行无位错化。本发明的硅单晶提拉用晶种是对基于CZ法的硅单晶提拉中所使用晶种的改良，其特征的构成在于，该晶种是从掺杂碳的硅熔液中提拉的硅单晶中切出的晶种，并且掺杂的碳的浓度为5×1015～5×1017原子/cm3的比例
硅单晶提拉用晶种以及使用硅单晶制造方法

[发明专利]具有多层结构的石英玻璃坩埚-CN200910003377.1有效
发明人：小玉真喜子;森川正树 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种石英玻璃坩埚，其即使在制造(提拉)大型化的硅单晶时，也可抑制熔融硅的局部温度偏差，制造(提拉)均匀的硅单晶。硅单晶提拉用石英玻璃坩埚，其从坩埚内表面侧至外表面侧至少具有透明层、半透明层和不透明层，其中，透明层气泡含有率小于0.3％，半透明层气泡含有率为0.3％～0.6％的范围，不透明层气泡含有率大于0.6％。
具有多层结构石英玻璃坩埚

[发明专利]一种低电阻率硅单晶及其制备方法-CN202210876601.3在审
发明人：陶莹 -专利权人：北京麦竹吉科技有限公司;陶莹
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅生长技术领域，具体而言，涉及一种低电阻率硅单晶及其制备方法。该制备方法先将硼掺杂剂和硅原料混合并完全熔解，得到熔体，再向所述熔体中加入镓金属单质，最后，采用籽晶提拉生长，得到硅单晶。该低电阻率硅单晶采用上述的制备方法制备而成。该硅单晶为P型硅单晶，电阻率为0.001~0.003欧姆‑米。该制备方法通过掺杂镓，可以实现对低电阻率硅单晶进行晶格补偿，有效防止提拉生长过程中硅单晶内的晶格畸变而降低晶体缺陷。
一种电阻率硅单晶及其制备方法

[实用新型]一种单晶提拉装置-CN201420128431.1有效
发明人：黄永恩;张学强;范全东;路鹏;王丁 -专利权人：宁晋赛美港龙电子材料有限公司
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种单晶提拉装置，属于晶体生长技术领域，其技术方案是，它包括钢丝绳、固定在单晶炉的副室顶部的提拉电机和控制电路，所述钢丝绳的上端固定在提拉电机的减速机输出轴上的卷筒上，下端接硅单晶上部的重锤，所述控制电路包括光电传感器、单片机、输入按钮和电机接触器，所述光电传感器的激光发射管和光电管安装在单晶炉的副室内部上方并分别位于钢丝绳的两侧，光电管的输出端接单片机的输入端口，所述输入按钮接单片机的输入端口，所述电机接触器的常开触点控制提拉电机本实用新型可在硅单晶到达极限位置时自动切断提拉电机的电源，这样就有效防止了单晶提拉超限事故的发生，保证了提拉装置和硅单晶的安全。
一种单晶提拉装置

[发明专利]直拉硅单晶生长设备中软轴提拉系统的摆动识别方法-CN202211508487.5在审
发明人：穆凌霞;刘丁;雷碧玉 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶生长设备中软轴提拉系统的摆动识别方法，首先在控制籽晶提拉的电机上安装振动传感器，获取振动信号；然后对采集的振动信号进行预处理，得到经过降噪之后故障成分明显增强的振动信号；最后根据处理后的振动信号，获取软轴提拉系统在硅单晶生长过程中的特征信息，判断所获取到的信息为提拉系统部件发生故障还是系统自身的振动。本发明解决了现有技术中存在的软轴摆动异常未及时发现，导致硅单晶品质下降的问题。
直拉硅单晶生长设备中软轴提拉系统摆动识别方法

[发明专利]硅单晶的制造方法及硅单晶的提拉装置-CN201910334491.6有效
发明人：金原崇浩;片野智一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：在使用提拉装置制造硅单晶的硅单晶的制造方法中，将在提拉中被导入到提拉装置内的气体从形成在加热器（5）的背面上的中部排气口（16A）排气，所述提拉装置具备：腔室；设置在腔室内的石英坩堝（3A）；和加热器（
硅单晶制造方法装置

[发明专利]石英玻璃坩埚和石英玻璃坩埚的制造方法-CN201910725841.1有效
发明人：须藤俊明;佐藤忠广;北原江梨子;北原贤 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：[解决手段]硅单晶提拉用石英玻璃坩埚，其特征在于，在具有直体部和底部的硅单晶提拉用石英玻璃坩埚中，在直体部上部密度低，在底部密度高。硅单晶提拉用石英玻璃坩埚，其具有直体部和底部，在包含多层的硅单晶提拉用石英玻璃坩埚中，在外层与内层接触的交界部处，各自的层的密度差为0.0014g/cm3以下。
石英玻璃坩埚制造方法

[发明专利]硅单晶的培育方法和采用该方法培育的硅单晶-CN200580049778.0有效
发明人：稻见修一;村上浩纪;高濑伸光;滨田建;中村刚 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2005-09-12 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：该硅单晶的培育方法是一边采用围绕在培育中的硅单晶周围且其内侧圆周表面和提拉轴同轴的冷却用构件对硅单晶的至少一部分进行冷却，一边采用切克劳斯基法培育硅单晶，培育上述单晶的介质气体包括含氢原子物质的气体。
硅单晶培育方法采用

[实用新型]全自动硅单晶生长炉-CN201120243032.6有效
发明人：房志刚 -专利权人：常州江南电力光伏科技有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅单晶生长炉，特别是一种全自动硅单晶生长炉，包括炉体、炉筒、循环冷却水系统、提拉装置、保护气系统和控制系统；所述循环冷却水系统设置在炉体外壁上；所述提拉装置固定在炉体上方的炉筒内；所述保护气系统连接在炉体上；所述炉体内设置单晶硅生长环境参数采集系统；所述循环冷却水系统、保护气系统、提拉装置和单晶硅生长环境参数采集系统都与控制系统相连。采用上述结构后，对硅单晶生长炉内的环境参数进行实时监控，通过控制系统来自动控制单晶硅棒的生长。
全自动硅单晶生长

[发明专利]IGBT用硅单晶片和IGBT用硅单晶片的制造方法-CN200710084192.9有效
发明人：小野敏昭;梅野繁;杉村涉;宝来正隆 -专利权人：株式会社上睦可
申请日： 2007-02-17 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种IGBT用硅单晶片，其在结晶径向整个区域中排除了COP缺陷和位错簇，晶格间氧浓度为8.5×10¹⁷原子/cm³或以下，晶片面内的电阻率的偏差为本发明还提供该IGBT用硅单晶片的制造方法，其中在氛围气气体中导入以氢气换算分压为40Pa～400Pa的含有氢原子的物质，使硅单晶的提拉速度为能够提拉无生长引入缺陷的硅单晶的速度，育成晶格间氧浓度为8.5×10¹⁷原子/cm³或以下的单晶。对提拉后的硅单晶照射中子而掺杂磷；在硅熔融液中添加n型掺杂剂；或在硅熔融液中添加磷，使硅单晶中的磷浓度为2.9×10¹³原子/cm³～2.9×10¹⁵原子/cm³，在硅熔融液中添加偏析系数小于上述磷的p型掺杂剂，根据其偏析系数使其在硅单晶中的浓度为1×10¹³原子/cm³～
igbt 用硅单晶片制造方法

[发明专利]提拉单晶的装置及方法-CN98101022.9有效
发明人：维尔弗里德·冯·阿蒙;汉斯·奥尔克鲁格;埃里希·多恩贝格尔;弗朗茨·泽吉特 -专利权人：瓦克硅电子股份公司
申请日： 1998-03-16 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：一种提拉硅单晶的装置，包括一个元件，该元件环绕在晶化界面上生长的单晶，并有一个面朝单晶的表面。该元件基本上在与晶化界面相同水平面上围绕单晶并具有反射单晶辐射出的热辐射或发出热辐射的性能。本发明还涉及一种提拉硅单晶的方法，其中该单晶受到所采用的一个围绕它的元件的热影响。
提拉单晶装置方法

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